IBM produrrà l'Hybrid Memory Cube di Micron

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Published on Giovedì, 01 Dicembre 2011 17:27

Scritto da Andrea Turetta

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Micron inizierà la produzione di un nuovo dispositivo di memoria, costruito utilizzando la prima tecnologia di impiego di Through-Silicon Via (TSV) per la produzione commerciale di dispositivi CMOS. Il processo avanzato di fabbricazione dei chip TSV di IBM consente all’Hybrid Memory Cube (HMC) di Micron di raggiungere velocità 15 volte superiori rispetto alla tecnologia attuale.

IBM presenterà i dettagli della innovativa metodologia TSV in occasione dell’IEEE International Electron Devices Meeting, che si terrà il 5 dicembre a Washington, DC.

Le parti dell’HMC saranno prodotte presso l’impianto avanzato di IBM per la fabbricazione di semiconduttori di East Fishkill, N.Y., con l’impiego della tecnologia di processo high-K metal gate a 32 nm dell’azienda.

HMC utilizza TSV avanzati — conduttori verticali che collegano elettricamente una pila di singoli chip – per combinare dispositivi logici ad alte prestazioni con la DRAM d’avanguardia di Micron. L’ampiezza di banda e l’efficienza fornite dall’HMC rappresentano un grande passo avanti rispetto alle funzionalità dei dispositivi attuali. I prototipi di HMC, ad esempio, lavorano con un’ampiezza di banda di 128 GigaByte al secondo (GB/s). In confronto, i dispositivi attualmente più avanzati si attestano a 12,8 GB/s. L’HMC richiede inoltre il 70 per cento di energia in meno per il trasferimento dei dati, pur offrendo un piccolo “form factor”, appena il 10 percento dell’ingombro di una memoria tradizionale.

HMC consentirà una nuova generazione di prestazioni, in applicazioni che vanno dal networking su grande scala e high-performance computing, all’automazione industriale, fino ai prodotti di consumo.

“La possibilità di usare i TSV nella produzione di CMOS commerciale e di integrare altre tecnologie di chip, come le comunicazioni ad alta velocità, è un progresso chiave nel passaggio verso la fabbricazione di semiconduttori in 3D”, spiega Subu Iyer, IBM Fellow. “Il processo di fabbricazione TSV che descriveremo in dicembre troverà applicazione al di là della memoria, supportando anche altri segmenti di settore”.

“L’HMC è rivoluzionario e offre finalmente agli architetti una soluzione di memoria flessibile, con ampiezza di banda scalabile ed efficienza di alimentazione”, spiega Scott Graham, General Manager di DRAM Solutions per Micron. “Grazie alla collaborazione con IBM, Micron avrà la più avanzata offerta di memoria del settore”.

Per ulteriori informazioni, specifiche tecniche, tool e supporto per l’adozione della tecnologia HMC, consultare il sito micron.com.

Micron

Micron Technology, Inc. è uno dei fornitori leader mondiali di semiconduttori avanzati. Produce e commercializza una gamma completa di memoria DRAM, NAND e NOR Flash, soluzioni di packaging e sistemi di semiconduttori, per l’impiego nei prodotti informatici, di consumo, di networking, embedded e mobili d’avanguardia. Micron è quotata al NASDAQ con il simbolo MU. Per saperne di più su Micron Technology, Inc., visitare il sito www.micron.com.

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